| 型号： | BSH111,215 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| BSH111,215 PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-23 MOSFET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 335mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4 欧姆 @ 500mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 40pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 830mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | TO-236AB |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-1657-2 934056036215 BSH111 T/R |